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偏压对磁控溅射ZnO薄膜的成核机制及表面形貌演化动力学的影响

付伟佳 , 刘志文 , 谷建峰 , 刘明 , 张庆瑜

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J1077.2009.00602

利用反应射频磁控溅射技术，通过对基体施加负偏压溅射ZnO薄膜，探讨了固定偏压下ZnO薄膜的表面形貌随沉积时间的演化以及不同偏压对ZnO薄膜表面形貌的影响. 研究结果表明，在-100V的偏压下，随着沉积时间的增加，ZnO薄膜的表面岛尺寸不断减小，密度逐渐变大. ZnO在基片表面成核过程中的本征缺陷成核阶段和轰击缺陷成核阶段的生长指数分别为(0.45±0.03)和(0.22±0.04)，低速率成核过程基本消失；随着偏压增大，表面岛的尺寸变大，表面起伏增加. 偏压不但可以改变ZnO薄膜的成核和生长过程，而且影响薄膜的晶体取向.

关键词: ZnO薄膜 , reactive radio-frequency magnetron sputtering , bias , morphological analysis

衬底负偏压对溅射Ta₂O₅薄膜晶化温度及介电性能的影响

许仕龙 , 朱满康 , 黄安平 , 王波 , 严辉

无机材料学报

采用磁控溅射法,在衬底温度为620℃时,通过引入合适的衬底负偏压(100～200V),获得了结晶良好的Ta₂O₅薄膜,衬底负偏压增强了正离子对衬底表面的轰击作用,加速了其在衬底表面的松弛扩散效应,从而降低了Ta₂O₅薄膜的晶化温度,改善了其结晶性。同时,C—V测试结果表明:衬底负偏压进一步改善了Ta₂O₅薄膜的介电性能.

关键词: Ta₂O₅ , dielectric films , crystallization temperature , bias

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